Analyzing the Effects of Interconnect Parasitics in the STT CRAM In-Memory Computational Platform
Analyzing the Effects of Interconnect Parasitics in the STT CRAM In-Memory Computational Platform
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分析 STT CRAM 内存计算平台中互连寄生效应的影响
DOI：
10.1109/jxcdc.2020.2985314
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发表时间：
2020
影响因子：
2.4
通讯作者：
Sapatnekar, Sachin S.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zabihi, Masoud;Sharma, Arvind K.;Mankalale, Meghna G.;Chowdhury, Zamshed Iqbal;Zhao, Zhengyang;Resch, Salonik;Karpuzcu, Ulya R.;Wang, Jian-Ping;Sapatnekar, Sachin S.
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影响因子：
2.3
作者：
Maehara, Hiroki;Nishimura, Kazumasa;Yuasa, Shinji
通讯作者：
Yuasa, Shinji
演示用于非易失性嵌入式存储器的全功能 8Mb 垂直 STT-MRAM 芯片，写入速度低于 5ns
DOI：
10.1109/vlsit.2014.6894357
发表时间：
2014
期刊：
2014 Symposium on VLSI Technology (VLSI-Technology): Digest of Technical Papers
影响因子：
--
作者：
G. Jan;L. Thomas;S. Le;Yuan;Huanlong Liu;Jian Zhu;R. Tong;K. Pi;Yu;D. Shen;R. He;J. Haq;J. Teng;V. Lam;K. Huang;T. Zhong;T. Torng;P. Wang
通讯作者：
P. Wang
使用 Spin-Hall MTJ 构建节能内存计算平台
DOI：
10.1109/isqed.2019.8697377
发表时间：
2019
期刊：
20th International Symposium on Quality Electronic Design (ISQED)
影响因子：
--
作者：
Masoud Zabihi;Zhengyang Zhao;D. Mahendra;Z. Chowdhury;Salonik Resch;Thomas J. Peterson;Ulya R. Karpuzcu;Jianping Wang;S. Sapatnekar
通讯作者：
S. Sapatnekar
实现超越 CMOS 时代指数缩放的途径：受邀
DOI：
10.1145/3061639.3072942
发表时间：
2017
期刊：
Proceedings of the 54th Annual Design Automation Conference 2017
影响因子：
--
作者：
Jianping Wang;S. Sapatnekar;C. Kim;P. Crowell;S. Koester;S. Datta;K. Roy;A. Raghunathan;X. Hu;M. Niemier;A. Naeemi;C. Chien;C. Ross;R. Kawakami
通讯作者：
R. Kawakami
影响因子：
2.3
作者：
Chowdhury, Zamshed;Harms, Jonathan D.;Wang, Jian-Ping
通讯作者：
Wang, Jian-Ping