Growth temperature and InAs supply dependences of InAs quantum dots on InP (0 0 1) substrate
Growth temperature and InAs supply dependences of InAs quantum dots on InP (0 0 1) substrate
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InP (0 0 1) 衬底上 InAs 量子点的生长温度和 InAs 供应依赖性
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K.Shimomura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Okawa;Y.Yamauchi;J.Yamamoto;J.Yoshida;K.Shimomura
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在低维量子阱结构中利用场致电光效应的 GaInAs(P)-InP 交叉光开关的工作波长范围
影响因子：
2.5
作者：
K. Shimomura;S. Arai;Y. Suematsu
通讯作者：
Y. Suematsu
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4
作者：
R. Prasanth;J. Haverkort;A. Deepthy;Ew Erik Bogaart;van der Tol;Ea Evgeni Patent;G. Zhao;Qian Gong;van Pj René Veldhoven;R. Noetzel;Jh Joachim Wolter
通讯作者：
R. Prasanth;J. Haverkort;A. Deepthy;Ew Erik Bogaart;van der Tol;Ea Evgeni Patent;G. Zhao;Qian Gong;van Pj René Veldhoven;R. Noetzel;Jh Joachim Wolter
DOI：
10.1143/jjap.42.4166
发表时间：
2003-06-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
影响因子：
--
作者：
Kaizu, T;Yamaguchi, K
通讯作者：
Yamaguchi, K
影响因子：
4
作者：
ARAKAWA, Y;SAKAKI, H
通讯作者：
SAKAKI, H
InP 衬底上 InAs 量子点的生长和光学特性：面向 1.55 μm 量子点激光器
影响因子：
1.8
作者：
C. Paranthoen;C. Platz;G. Moreau;N. Bertru;O. Dehaese;A. Corre;P. Miska;J. Even;H. Folliot;C. Labbé;G. Patriarche;J. Simon;S. Loualiche
通讯作者：
S. Loualiche