Tunneling in quantum confined GaAs ultrashallow sidewall tunnel junctions
Tunneling in quantum confined GaAs ultrashallow sidewall tunnel junctions
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量子限制 GaAs 超浅侧壁隧道结中的隧道效应
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
大野武雄
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Niizeki;H.Kubota;Y.Ando;T.Miyazaki;大野武雄;大野武雄
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一维、二维、三维带间隧道结构的器件应用
影响因子：
3.2
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通讯作者：
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DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
J. Nishizawa
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通讯作者：
J. Nishizawa
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影响因子：
4
作者：
Y. Oyama;T. Ohno;K. Tezuka;K. Suto;J. Nishizawa
通讯作者：
J. Nishizawa