In situ X-ray diffraction study of molecular-beam epitaxial growth of InAs/GaAs(001) quantum dots
In situ X-ray diffraction study of molecular-beam epitaxial growth of InAs/GaAs(001) quantum dots
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In As/GaAs(001)量子点分子束外延生长的原位X射线衍射研究
作者：
M.Takahasi;J.Mizuki
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通过 X 射线散射研究 SiGe 纳米级岛的应变和成分
DOI：
--
发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Wiebach;M. Schmidbauer;M. Hanke;H. Raidt;R. Köhler;H. Wawra
通讯作者：
H. Wawra
DOI：
10.1143/jjap.42.4166
发表时间：
2003-06-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
影响因子：
--
作者：
Kaizu, T;Yamaguchi, K
通讯作者：
Yamaguchi, K
影响因子：
4
作者：
Lian, GD;Yuan, J;Ritchie, DA
通讯作者：
Ritchie, DA
影响因子：
3.7
作者：
Darhuber, AA;Schittenhelm, P;Abstreiter, G
通讯作者：
Abstreiter, G
通过 X 射线衍射表征量子点中的应变分布
影响因子：
1.8
作者：
T. Uragami;A. Acosta;H. Fujioka;T. Mano;J. Ohta;H. Ofuchi;M. Oshima;Y. Takagi;M. Kimura;Tamaki Suzuki
通讯作者：
Tamaki Suzuki