The exciton-longitudinal-optical-phonon coupling in InGaN/GaN single quantum wells with various cap layer thicknesses
The exciton-longitudinal-optical-phonon coupling in InGaN/GaN single quantum wells with various cap layer thicknesses
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不同帽层厚度的 InGaN/GaN 单量子阱中的激子-纵向-光学-声子耦合
DOI：
10.1088/1674-1056/19/11/117801
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发表时间：
2010-11
影响因子：
1.7
通讯作者：
B. P. Zhang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
X. L. Hu;J. Y. Zhang;S. J. Zhi;L. W. Jie;B. P. Zhang
本文用低温光致发光（PL）方法研究了不同帽层厚度的InGaN/GaN单量子阱威尔斯中激子-纵光学-声子耦合。随着帽层厚度的增加，PL峰的能量发生了移动
This paper studies the exciton-longitudinal-optical-phonon coupling in InGaN/GaN single quantum wells with various cap layer thicknesses by low temperature photoluminescence (PL) measurements With increasing cap layer thickness, the PL peak energy shifts
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DOI：
10.1016/s0921-5107(02)00024-7
发表时间：
2002-05
影响因子：
3.6
作者：
R. Pecharromán-Gallego;P. Edwards;R. Martin;I. Watson
通讯作者：
R. Pecharromán-Gallego;P. Edwards;R. Martin;I. Watson
影响因子：
3.7
作者：
Fiorentini, V;Bernardini, F;Lugli, P
通讯作者：
Lugli, P
影响因子：
4.9
作者：
Y. Wu;B. Keller;P. Fini;S. Keller;T. Jenkins;L. Kehias;S. Denbaars;U. Mishra
通讯作者：
Y. Wu;B. Keller;P. Fini;S. Keller;T. Jenkins;L. Kehias;S. Denbaars;U. Mishra
DOI：
10.1002/1521-3951(200212)234:3
发表时间：
2002-12
影响因子：
1.6
作者：
A. Zeuner;H. Alves;D. Hofmann;B. Meyer;A. Hoffmann;U. Haboeck;M. Strassburg;M. Dworzak
通讯作者：
A. Zeuner;H. Alves;D. Hofmann;B. Meyer;A. Hoffmann;U. Haboeck;M. Strassburg;M. Dworzak
影响因子：
4
作者：
M. Smith;J. Lin;Hongxing Jiang;A. Khan;Q. Chen;A. Salvador;A. Botchkarev;W. Kim;H. Morkoç-
通讯作者：
M. Smith;J. Lin;Hongxing Jiang;A. Khan;Q. Chen;A. Salvador;A. Botchkarev;W. Kim;H. Morkoç-