Fabrication and polarization-modulated resistive switching behavior of predominantly (110)-oriented BiFeO3 thin films on indium tin oxide/glass substrates
Fabrication and polarization-modulated resistive switching behavior of predominantly (110)-oriented BiFeO3 thin films on indium tin oxide/glass substrates
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氧化铟锡/玻璃基板上主要 (110) 取向的 BiFeO3 薄膜的制造和偏振调制电阻切换行为
DOI：
10.1007/s10854-014-1720-x
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发表时间：
2014-01
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Chengcheng Qiu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Qiujuan Man;Wen Sun;Feng Yang;Chengcheng Qiu
采用金属有机物分解法，通过控制预热温度，在氧化铟锡/玻璃衬底上制备了（110）取向的BiFeO 3（BFO）薄膜。研究了不同预热温度下BFO薄膜的结构随厚度的变化规律，以明确（110）择优取向BFO薄膜的生长模式。（110）取向的BFO薄膜的形成是由于（110）取向的晶粒在425 °C下预热的低温成核。在Au/BFO（110）/ITO异质结构中，观察到了具有高阻变比和大二极管电流特性的极化调制型阻变特性，这使得该异质结构在阻变铁电存储器中具有潜在的应用前景。
Predominantly (110)-oriented BiFeO3 (BFO) thin films were deposited on indium tin oxide/glass substrates using a metal organic decomposition process by controlling the preheating temperature. The structure evolution with film thickness at different preheating temperatures was investigated to clarify the growth mode of (110)-predominant BFO film. The formation of the (110)-oriented BFO film is due to the low-temperature nucleation of (110)-oriented grains preheated at 425 °C. In the Au/BFO(110)/ITO heterostructure, a polarization-modulated bistable resistive switching behavior with high ratio of resistance and large diode current characteristics was observed, which makes the heterostructure attractive for application in resistive ferroelectric memory.
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