Growth of high-quality AlN with high growth rate by high-temperature MOVPE
Growth of high-quality AlN with high growth rate by high-temperature MOVPE
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利用高温MOVPE高生长率生长高质量AlN
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
A.Bandoh
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N.Fujimoto;T.Kitano;G.Narita;N.Okada;K.Balakrishnan;M.Iwaya;S.Kamiyama;H.Amano;I.Akasaki;K.Shimono;T.Noro;T.Takagi;A.Bandoh
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迁移增强型 MOCVD (MEMOCVDTM) 缓冲器可延长蓝宝石和 SiC 衬底上 GaN 和 AlGaN 外延层中的载流子寿命
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
作者：
R. Fareed;Jian Ping Zhang;R. Gaska;G. Tamulaitis;J. Mickevičius;R. Aleksieju̅nas;M. Shur;M. Khan
通讯作者：
M. Khan
影响因子：
4.6
作者：
Minamikawa T;Koma T;Suzuki A;Mizuno T;Nagamatsu K;Arimochi H;Tsuchiya K;Matsuoka K;Yasui T;Yasutomo K;Nomaguchi M
通讯作者：
Nomaguchi M
影响因子：
1.8
作者：
Imura, Masataka;Fujimoto, Naoki;Bandoh, Akira
通讯作者：
Bandoh, Akira
影响因子：
1.8
作者：
Imura, Masataka;Sugimura, Hiroki;Bandoh, Akira
通讯作者：
Bandoh, Akira
影响因子：
1.8
作者：
Kuboya, Shigeyuki;Uesugi, Kenjiro;Miyake, Hideto
通讯作者：
Miyake, Hideto