Scanning tunneling microscope study of electrical transport properties of nanoscale Schottky contacts between manganese silicide nanostructures and Si(111)
Scanning tunneling microscope study of electrical transport properties of nanoscale Schottky contacts between manganese silicide nanostructures and Si(111)
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扫描隧道显微镜研究硅化锰纳米结构与Si(111)之间纳米级肖特基接触的电传输特性
DOI：
10.1063/1.4816962
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发表时间：
2013-07
影响因子：
4
通讯作者：
Xu Li
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xiao-Yong Liu;Zhi-Qiang Zou;Li-Min Sun;Xu Li
利用扫描隧道显微镜研究了三种硅化锰纳米接触的电输运特性，包括平板状岛/Si（111）、纳米线/Si（111）和三维岛/Si（111）.所有的电流-电压曲线上测得的岛屿表现出肖特基二极管的整流行为。与宏观对应物相比，纳米接触显示出低的肖特基势垒高度和非常大的理想因子。纳米接触的界面结构对正向偏压下的电流有显著的影响。这种影响可以归因于与岛和衬底之间的晶格失配引起的导电位错相关联的漏电流。
The electrical transport properties of three types of manganese silicide nanocontacts, including tabular island/Si(111), nanowire/Si(111), and three-dimensional island/Si(111), are investigated by a scanning tunneling microscope with tip contacting the silicide islands. All current-voltage curves measured on the islands exhibit Schottky diode-like rectifying behaviors. Compared to the macroscopic counterparts, the nanocontacts display low Schottky barrier heights and extremely large ideality factors. The interface structure of the nanocontacts has a significant influence on the current at forward bias. This influence can be attributed to the leakage current associated with the conductive dislocations induced by the lattice mismatch between the islands and the substrate.
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