Bidirectional negative differential resistance in AlN/GaN resonant tunneling diodes grown on freestanding GaN
Bidirectional negative differential resistance in AlN/GaN resonant tunneling diodes grown on freestanding GaN
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独立 GaN 上生长的 AlN/GaN 谐振隧道二极管的双向负微分电阻
DOI：
10.1063/5.0061872
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发表时间：
2021-08
影响因子：
4
通讯作者：
Bian Lifeng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Qiu Haibing;Zhou Xiangpeng;Yang Wenxian;Zhang Xue;Jin Shan;Lu Shulong;Qin Hua;Bian Lifeng
在本文中，我们报道了通过射频等离子体辅助分子束外延在自支撑氮化镓衬底上生长的Al(Ga)N/ GaN/AlN共振隧穿二极管中的双向负微分电阻（NDR）。双向NDR呈现出一种电流 - 电压（此处原文似乎不完整，最后一个单词“voltag”应为“voltage characteristic”之类的表达）特性。
In this paper, we report bidirectional negative differential resistance (NDR) in Al(Ga)N/GaN/AlN resonant tunneling diodes grown on free-standing GaN substrates by RF-plasma assisted molecular beam epitaxy. Bidirectional NDR has exhibited a current–voltag
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