Threshold Selector and Capacitive Coupled Assist Techniques for Write Voltage Reduction in Metal–Ferroelectric–Metal Field-Effect Transistor
Threshold Selector and Capacitive Coupled Assist Techniques for Write Voltage Reduction in Metal–Ferroelectric–Metal Field-Effect Transistor
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用于降低金属-铁电-金属场效应晶体管写入电压的阈值选择器和电容耦合辅助技术
DOI:
10.1109/ted.2021.3121348
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发表时间:
2021
影响因子:
3.1
通讯作者:
Kulkarni, Jaydeep P.
中科院分区:
文献类型:
--
作者:
Raman, Siddhartha Raman;Nibhanupudi, S. S.;Saha, Atanu K.;Gupta, Sumeet;Kulkarni, Jaydeep P.
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DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
Device Research Conference
影响因子:
--
作者:
S. Thirumala;S. Gupta
通讯作者:
S. Gupta
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
International Electron Devices Meeting
影响因子:
--
作者:
Mengyao Yan;Ming;Hsin;Yu;Y. Chu;Tian;P. Yeh;Chih;Yu;Jian;P. Tzeng;S. Sheu;W. Lo;Chih;T. Hou
通讯作者:
T. Hou
影响因子:
4.9
作者:
Mueller, Johannes;Boescke, Tim S.;Frey, Lothar
通讯作者:
Frey, Lothar
影响因子:
34.3
作者:
Khan, Asif Islam;Keshavarzi, Ali;Datta, Suman
通讯作者:
Datta, Suman
影响因子:
3.2
作者:
Saha, Atanu K.;Datta, Suman;Gupta, Sumeet K.
通讯作者:
Gupta, Sumeet K.