Characterization and compensation of performance variability using on-chip monitors
Characterization and compensation of performance variability using on-chip monitors
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使用片上监视器表征和补偿性能变化
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Hidetoshi Onodera
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.K.M. Mahfuzul Islam;and Hidetoshi Onodera
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可重构延迟单元，用于高效实现片上 MOSFET 监控方案的面积
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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作者：
A.K.M. Mahfuzul Islam;Tohru Ishihara;and Hidetoshi Onodera
通讯作者：
and Hidetoshi Onodera
用于管芯内可变性和 RTN 表征的非均匀环形振荡器
影响因子：
2.7
作者：
S. Fujimoto;A. Islam;Takashi Matsumoto;H. Onodera
通讯作者：
H. Onodera
通过改进的环形振荡器测量由于工艺变化引起的延迟失配
DOI：
10.1109/iscas.2005.1465818
发表时间：
2005
期刊：
2005 IEEE International Symposium on Circuits and Systems
影响因子：
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作者：
Bo Zhou;A. Khouas
通讯作者：
A. Khouas
使用基于检测放大器的测试结构的过程局部随机变异性的统计表征和片上测量方法
DOI：
10.1109/isscc.2007.373463
发表时间：
2007
期刊：
2007 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers
影响因子：
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作者：
S. Mukhopadhyay;Keunwoo Kim;K. Jenkins;C. Chuang;K. Roy
通讯作者：
K. Roy
沟道掺杂剂分布对 NFET 和 PFET 之间阈值电压变化差异的影响
影响因子：
3.1
作者：
T. Tsunomura;A. Nishida;T. Hiramoto
通讯作者：
T. Hiramoto