A Study on Very High Performance Novel Balanced Fully Depleted Silicon-on-Insualtor Complementary Metal-Oxide-Silicon Field-Effect Transistors on Si(100) Using Accumulation-Mode Device Structure for Radio-Frequency Analog Circuits
A Study on Very High Performance Novel Balanced Fully Depleted Silicon-on-Insualtor Complementary Metal-Oxide-Silicon Field-Effect Transistors on Si(100) Using Accumulation-Mode Device Structure for Radio-Frequency Analog Circuits
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射频模拟电路中使用累积模式器件结构的超高性能新型平衡全耗尽绝缘体上硅互补硅（100）硅场效应晶体管的研究
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Weitao Cheng
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kimura;T.;木村智樹;木村智樹;木村智樹;伊藤智美;伊藤智美;木村智樹;Weitao Cheng
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影响因子：
3.1
作者：
Teramoto, Akinobu;Hamada, Tatsufumi;Ohmi, Tadahiro
通讯作者：
Ohmi, Tadahiro
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DOI：
10.1109/4.482155
发表时间：
1995
期刊：
IEEE J. Solid State Circuits
影响因子：
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作者：
B. Nauta;Ardie G. Venes
通讯作者：
Ardie G. Venes
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DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Journal of Physics D : Applied Physics 39
影响因子：
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作者：
Watanabe;K.;Toba;G.;Koganezawa;M.;Yamamoto;D.;Ken Sakai;Tadahiro Ohmi
通讯作者：
Tadahiro Ohmi