C/L-band emission of InAs QDs monolithically grown on Ge substrate
C/L-band emission of InAs QDs monolithically grown on Ge substrate
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Ge 衬底上单片生长的 InAs 量子点的 C/L 波段发射
DOI：
10.1364/ome.7.002955
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发表时间：
2017-08
影响因子：
2.8
通讯作者：
Zhang Jian-Jun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wei Wen-Qi;Wang Jian-Huan;Gong Yue;Shi Jin-An;Gu Lin;Xu Hong-Xing;Wang Ting;Zhang Jian-Jun
近年来，对硅基光源的需求不断增长，推动了III-V/IV族混合激光器的研究领域。在此，在Ge衬底B上外延生长的InAs/In0.25Ga0.75As量子点（QD）的C/L波段光发射（1.53 μm-1.63 μm
In recent years, the growing demand for silicon based light sources has boosted the research field of III-V/IV hybrid lasers. Here, the C/L-band light emission (1.53 μm-1.63 μm) of InAs/In0.25Ga0.75As quantum dots (QDs) epitaxially grown on Ge substrate b
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影响因子：
0.7
作者：
A. Zhukov;A. Kovsh;S. Mikhrin;E. Semenova;N. Maleev;A. P. Vasil’ev;E. Nikitina;N. V. Kryzhanovskaya;A. Gladyshev;Y. Shernyakov;Y. Musikhin;M. Maksimov;N. Ledentsov;V. Ustinov;Z. Alferov
通讯作者：
A. Zhukov;A. Kovsh;S. Mikhrin;E. Semenova;N. Maleev;A. P. Vasil’ev;E. Nikitina;N. V. Kryzhanovskaya;A. Gladyshev;Y. Shernyakov;Y. Musikhin;M. Maksimov;N. Ledentsov;V. Ustinov;Z. Alferov
影响因子：
35
作者：
Liu, Huiyun;Wang, Ting;Seeds, Alwyn
通讯作者：
Seeds, Alwyn
影响因子：
0.7
作者：
M. Maksimov;Y. Shernyakov;N. V. Kryzhanovskaya;A. Gladyshev;Y. Musikhin;N. Ledentsov;A. Zhukov;A. P. Vasil’ev;A. Kovsh;S. Mikhrin;E. Semenova;N. Maleev;E. Nikitina;V. Ustinov;Z. Alferov
通讯作者：
M. Maksimov;Y. Shernyakov;N. V. Kryzhanovskaya;A. Gladyshev;Y. Musikhin;N. Ledentsov;A. Zhukov;A. P. Vasil’ev;A. Kovsh;S. Mikhrin;E. Semenova;N. Maleev;E. Nikitina;V. Ustinov;Z. Alferov
影响因子：
4
作者：
Ting Wang;A. Lee;F. Tutu;A. Seeds;Huiyun Liu;Q. Jiang;K. Groom;R. Hogg
通讯作者：
Ting Wang;A. Lee;F. Tutu;A. Seeds;Huiyun Liu;Q. Jiang;K. Groom;R. Hogg
影响因子：
3.7
作者：
Le Ru, EC;Fack, J;Murray, R
通讯作者：
Murray, R