Long-wavelength light emission from self-assembled heterojunction quantum dots
Long-wavelength light emission from self-assembled heterojunction quantum dots
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自组装异质结量子点的长波长光发射
DOI：
10.1063/1.2919121
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发表时间：
2008-05
影响因子：
3.2
通讯作者：
Xu, Yingqiang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ren, Zhengwei;Zhou, Zhiqiang;Tang, Bao;Hao, Ruiting;Niu, Zhichuan;Xu, Yingqiang
报道了GaSb/InAs/GaAs自组装异质结量子点的光学特性。随着GaSb沉积量的增加，室温发射波长可扩展到1.56 μ m.的光致发光机制被认为是一个II型过渡与电子限制在InAs和GaSb中的空穴。(C)2008年美国物理学会。
The authors report the optical characteristics of GaSb/InAs/GaAs self-assembled heterojunction quantum dots (QDs). With increasing GaSb deposition, the room temperature emission wavelength can be extended to 1.56 mu m. The photoluminescence mechanism is considered to be a type-II transition with electrons confined in InAs and holes in GaSb.(C) 2008 American Institute of Physics.
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影响因子：
1.5
作者：
M. Kudo;T. Nakaoka;S. Iwamoto;Y. Arakawa
通讯作者：
M. Kudo;T. Nakaoka;S. Iwamoto;Y. Arakawa
影响因子：
1.5
作者：
A. Ueta;S. Gozu;K. Akahane;N. Yamamoto;N. Ohtani
通讯作者：
A. Ueta;S. Gozu;K. Akahane;N. Yamamoto;N. Ohtani
影响因子：
4
作者：
D. Guimard;S. Tsukamoto;M. Nishioka;Y. Arakawa
通讯作者：
D. Guimard;S. Tsukamoto;M. Nishioka;Y. Arakawa
影响因子：
3.2
作者：
Liu, HY;Steer, MJ;David, JPR
通讯作者：
David, JPR
DOI：
10.1117/12.715304
发表时间：
2007-02
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
K. Eyink;D. Tomich;S. Munshi;B. Ulrich;W. Rice;L. Grazulis;J. Shank;K. Mahalingam
通讯作者：
K. Eyink;D. Tomich;S. Munshi;B. Ulrich;W. Rice;L. Grazulis;J. Shank;K. Mahalingam