Ti/WSi/Ni ohmic contact to n-type SiCN
Ti/WSi/Ni ohmic contact to n-type SiCN
复制标题
Ti/WSi/Ni 与 n 型 SiCN 欧姆接触
DOI：
10.1088/1674-4926/31/4/043003
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发表时间：
2010
影响因子：
5.1
通讯作者：
程文娟
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
程文娟
采用圆形传输线方法研究了Ti/WSi/Ni与n型SiCN的接触。电流-电压特性，X射线衍射和X射线光电子能谱被用来表征退火前后的接触。结果表明，接触的导电行为是依赖于退火温度。在900 °C或更高温度下退火后，实现了具有特定接触电阻率的欧姆接触。1000 ° C退火的接触显示出3.07 × 10−5 Ω ·cm 2的最低比接触。讨论了低接触电阻率欧姆接触的形成。
Ti/WSi/Ni contact to n-type SiCN was investigated using the circular transmission line method. Current-voltage characteristics, X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy were used to characterize the contacts before and after annealing. It is shown that the conducting behavior of the contacts is dependent on the annealing temperature. After annealing at 900 °C or above, ohmic contacts with specific contact resistivity were achieved. The 1000-°C-annealed contact exhibits the lowest specific contact of 3.07 × 10−5 Ω · cm2. The formation of ohmic contact with low specific contact resistivity was discussed.
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影响因子：
2.1
作者：
W. Chang;Yean-Kuen Fang;S. Ting;Shih-fang Chen;Chun-Yu Lin;S. Hwang;Cheng-Nan Chang
通讯作者：
W. Chang;Yean-Kuen Fang;S. Ting;Shih-fang Chen;Chun-Yu Lin;S. Hwang;Cheng-Nan Chang
影响因子：
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作者：
C. Uslu;B. Park;D. Poker
通讯作者：
C. Uslu;B. Park;D. Poker
影响因子：
2.7
作者：
D. Bhusari;C. K. Chen;K. H. Chen;T. Chuang;L. Chen;M. Lin
通讯作者：
D. Bhusari;C. K. Chen;K. H. Chen;T. Chuang;L. Chen;M. Lin
DOI：
10.1007/s003390050948
发表时间：
1999-05
期刊：
Applied Physics A
影响因子：
--
作者：
L. Barbadillo;F. J. Gómez;M. J. Hernández;J. Piqueras
通讯作者：
L. Barbadillo;F. J. Gómez;M. J. Hernández;J. Piqueras
影响因子：
4.6
作者：
Liew, LA;Liu, YP;Raj, R
通讯作者：
Raj, R