SiGeSn material for integrated optical devices
SiGeSn material for integrated optical devices
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用于集成光学器件的SiGeSn材料
DOI：
10.1117/12.2318011
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
I.A. Fischer
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Oehme;D. Schwarz;J. Schulze;C.J. Clausen;I.A. Fischer
本文提出了一种用分子束外延技术在Si或Si-on-Insulator衬底上外延生长SixGe_（1-x）-ySn_y结构的超薄缓冲层技术。该技术为集成光子器件作为探测器、调制器和光源奠定了基础。本文讨论了具有不同材料成分的不同器件族，它们都使用高质量的弛豫Ge虚拟衬底。这些是赝晶Ge/Ge 1-ySn y结构、与Ge晶格匹配的SixGe 1-x-ySn y结构和（部分）弛豫Ge 1-ySn y虚拟衬底。光子器件由具有垂直pin掺杂结构的异质结二极管组成。作为一个例子，给出了有源区采用Nx（Ge_（0.93）Sn_（0.07）/Ge）多量子阱结构的Ge/Ge_（1-y）Sn_y多量子阱光电探测器。在高频率下的光学测量成功地进行这些光电探测器。在1550 nm的光通信波长处测量了40 GHz以上的3dB带宽。
In this paper, an ultra-thin buffer technology for the epitaxial growth of SixGe1-x-ySnystructures on Si or Si-on-Insulator substrates by using molecular beam epitaxy is presented. This technology builds the basis for integrated photonic devices as detectors, modulators and light sources. The paper discusses different device families with different material compositions, which all use a relaxed Ge virtual substrate with high quality. These are pseudomorphic Ge/Ge1-ySnystructures, SixGe1-x-ySnystructures lattice matched to Ge and (partially) relaxed Ge1-ySnyvirtual substrates. The photonic devices consist of heterojunction diodes with vertical pin doping structures. As an example, Ge/Ge1-ySnymulti quantum well photodetectors which active regions made from Nx(Ge0.93Sn0.07/Ge) multi-quantum well structures are presented. Optical measurements at high frequencies are successfully performed on these photodetectors. A 3-dB bandwidth above 40 GHz is measured at the optical telecommunication wavelength of 1550 nm.
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用于光子器件的分子束外延生长 Ge/Si pin 层序列
DOI：
--
发表时间：
2012
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影响因子：
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通讯作者：
J. Werner
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发表时间：
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