In situ monitoring of Zn* and Mg* species during helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy of ZnO and Mg_<0.06>Zn_<0.94>O films

In situ monitoring of Zn* and Mg* species during helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy of ZnO and Mg_<0.06>Zn_<0.94>O films
复制标题

ZnO 和 Mg_<0.06>Zn_<0.94>O 薄膜螺旋波激发等离子体溅射外延过程中 Zn* 和 Mg* 物质的原位监测

DOI:
--
复制
发表时间:
2004
期刊:
Journal of Vacuum Science and Technology B 22(4)
影响因子:
--
通讯作者:
S.F.Chichibu
S.F.Chichibu
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
T.Koyama;T.Ohmori;N.Shibata;T.;Onuma;S.F.Chichibu

文献摘要

参考文献

被引文献

相似文献

半导体尖端在电容显微镜中的应用
DOI: 10.1063/1.121927
发表时间: 1998
影响因子: 4
作者:
K. Goto;K. Hane
通讯作者: K. Hane
ZnO 螺旋波激发等离子体溅射外延过程中 Zn 物种的原位光谱控制
DOI: 10.1063/1.1616650
发表时间: 2003
影响因子: 4
作者:
T. Koyama;T. Onuma;S. Chichibu
通讯作者: S. Chichibu
通过 MOCVD 在斜角 R 面蓝宝石衬底上外延生长 AlN
DOI: 10.1016/s0022-0248(01)01051-x
发表时间: 2001
影响因子: 1.8
作者:
T. Shibata;K. Asai;Yukinori Nakamura;Mitsuhiro Tanaka;Kazuyuki Kaigawa;J. Shibata;H. Sakai
通讯作者: H. Sakai
螺旋波激发等离子体溅射制备Ga掺杂ZnO薄膜
DOI: --
发表时间: 2008
期刊: Phvsica Status Solidi (c)5
影响因子: --
作者:
S. Takahata;K. Saiki;T. Imao;H. Nakanishi;M. Sugiyama;S. F. Chichibu;H.Amaike;S.Takahata;S.Masaki;S. Takahata;S. Masaki
通讯作者: S. Masaki
DOI: 10.1063/1.1493666
发表时间: 2002-07-22
影响因子: 4
作者:
Onuma, T;Chichibu, SF;Tanaka, M
通讯作者: Tanaka, M