Fabrication of fine needle Si using plasma processing
Fabrication of fine needle Si using plasma processing
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使用等离子体处理制造细针硅
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
A. Hatta
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Shimizu;W.M.McLaren;N.Matubayasi;A. Hatta
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开发新型 2.5D 封装，采用新型集成有机中介层基板，具有超细布线和高密度凸块
DOI：
10.1109/ectc.2014.6897310
发表时间：
2014
期刊：
2014 IEEE 64th Electronic Components and Technology Conference (ECTC)
影响因子：
--
作者：
K. Oi;Satoshi Otake;N. Shimizu;Shoji Watanabe;Y. Kunimoto;T. Kurihara;Toshinori Koyama;Masato Tanaka;L. Aryasomayajula;Z. Kutlu
通讯作者：
Z. Kutlu
磁中性环放电等离子体中新型无扇贝 TSV 刻蚀方法
DOI：
10.1109/ectc.2012.6248923
发表时间：
2012
期刊：
2012 IEEE 62nd Electronic Components and Technology Conference
影响因子：
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作者：
Y. Morikawa;T. Murayama;T. Sakuishi;M. Yoshii;K. Suu
通讯作者：
K. Suu
硅中介层和 TSV 信号传输
DOI：
10.1109/ectc.2015.7159603
发表时间：
2015
期刊：
2015 IEEE 65th Electronic Components and Technology Conference (ECTC)
影响因子：
--
作者：
A. Martwick;J. Drew
通讯作者：
J. Drew
总体成本效益高的 2.5D 无扇贝硅蚀刻
DOI：
10.1109/ectc.2013.6575636
发表时间：
2013
期刊：
2013 IEEE 63rd Electronic Components and Technology Conference
影响因子：
--
作者：
Y. Morikawa;T. Murayama;Yuu Nakamuta Toshiyuki Sakuishi;A. Suzuki;K. Suu
通讯作者：
K. Suu