Investigating wet chemical oxidation methods to form SiO2 interlayers for self-aligned Pt-HfO2-Si gate stacks
Investigating wet chemical oxidation methods to form SiO2 interlayers for self-aligned Pt-HfO2-Si gate stacks
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研究湿化学氧化方法形成自对准 Pt-HfO2-Si 栅堆叠的 SiO2 中间层
DOI：
10.1116/6.0002762
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发表时间：
2023
影响因子：
2.9
通讯作者：
Vogel, Eric M.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Brummer, Amy C.;Kurup, Siddharth;Aziz, Daniel;Filler, Michael A.;Vogel, Eric M.
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影响因子：
3.9
作者：
Farm, Elina;Kemell, Marianna;Leskela, Markku
通讯作者：
Leskela, Markku
影响因子：
6.7
作者：
B. Stegemann;K. M. Gad;P. Balamou;Daniel Sixtensson;D. Vossing;M. Kasemann;H. Angermann
通讯作者：
B. Stegemann;K. M. Gad;P. Balamou;Daniel Sixtensson;D. Vossing;M. Kasemann;H. Angermann
用于电子应用的自对准栅极堆叠的制造和表征
影响因子：
4
作者：
Brummer, Amy C.;Mohabir, Amar T.;Aziz, Daniel;Filler, Michael A.;Vogel, Eric M.
通讯作者：
Vogel, Eric M.
增材光刻-有机单层图案化与区域选择性沉积相结合。
影响因子：
9.5
作者：
R. Wojtecki;Jonathan H. Ma;I. Cordova;N. Arellano;K. Lionti;T. Magbitang;Thomas G. Pattison;Xiao Zhao;E. Delenia;N. Lanzillo;Alexander E. Hess;N. F. Nathel;Holt P. Bui;C. Rettner;G. Wallraff;P. Naulleau
通讯作者：
P. Naulleau
影响因子：
6.7
作者：
H. Angermann
通讯作者：
H. Angermann