Impact of work-function variation on analog figures-of-merits for high-k/metal-gate junctionless FinFET and gate-all-around nanowire MOSFET
Impact of work-function variation on analog figures-of-merits for high-k/metal-gate junctionless FinFET and gate-all-around nanowire MOSFET
复制标题
功函数变化对高 k/金属栅极无结 FinFET 和全栅纳米线 MOSFET 模拟品质因数的影响
DOI：
10.1016/j.mejo.2018.12.004
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发表时间：
2019-02
影响因子：
2.2
通讯作者：
Liang Dai
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wei-Feng Lü;Liang Dai
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影响因子：
4.9
作者：
S. Nawaz;S. Dutta;A. Chattopadhyay;A. Mallik
通讯作者：
S. Nawaz;S. Dutta;A. Chattopadhyay;A. Mallik
影响因子：
3.1
作者：
H. Dadgour;K. Endo;V. De;K. Banerjee
通讯作者：
H. Dadgour;K. Endo;V. De;K. Banerjee
影响因子：
4.9
作者：
Endo, Kazuhiko;O'uchi, Shin-ichi;Masahara, Meishoku
通讯作者：
Masahara, Meishoku
DOI：
10.1109/iedm.2011.6131494
发表时间：
2011-12
期刊：
2011 International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
Xingsheng Wang;A. Brown;B. Cheng;A. Asenov
通讯作者：
Xingsheng Wang;A. Brown;B. Cheng;A. Asenov
影响因子：
3.1
作者：
Xingsheng Wang;A. Brown;N. Idris;S. Markov;G. Roy;A. Asenov
通讯作者：
Xingsheng Wang;A. Brown;N. Idris;S. Markov;G. Roy;A. Asenov