Optical excitation study on the efficiency droop behaviors of InGaN/GaN multiple-quantum-well structures
Optical excitation study on the efficiency droop behaviors of InGaN/GaN multiple-quantum-well structures
复制标题
InGaN/GaN多量子阱结构效率下降行为的光激发研究
DOI：
10.1007/s00340-013-5559-2
复制
发表时间：
2014-03
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Hahn, Y. B.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Suh, E. -K.;Lee, H. J.;Choi, R. J.;Hahn, Y. B.
在高电流注入下的电致发光中通常会观察到效率下降。 InGaN/GaN 多量子阱结构中效率下降的光学表征已在 12 K 下进行。观察到明显的下降行为
Efficiency droop is generally observed in electroluminescence under high current injection. Optical characterization on efficiency droop in InGaN/GaN multiple-quantum-well structures has been conducted at 12 K. Clear droop behaviors were observed for the
登录
查看更多内容
影响因子：
4
作者：
M. Schubert;Q. Dai;Jiuru Xu;J. Kim;E. Schubert
通讯作者：
M. Schubert;Q. Dai;Jiuru Xu;J. Kim;E. Schubert
影响因子：
4
作者：
Hader, J.;Moloney, J. V.;Lutgen, S.
通讯作者：
Lutgen, S.
影响因子：
1.1
作者：
G. Thompson;G. Henshall
通讯作者：
G. Thompson;G. Henshall
影响因子：
4
作者：
Shen, Y. C.;Mueller, G. O.;Krames, M. R.
通讯作者：
Krames, M. R.
影响因子：
3.2
作者：
P. Anthony;N. Schumaker
通讯作者：
P. Anthony;N. Schumaker