High-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on sapphire substrates by MOCVD
High-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on sapphire substrates by MOCVD
复制标题
通过 MOCVD 在蓝宝石衬底上生长高反射率 AlN/GaN 分布式布拉格反射器
DOI：
10.1088/0268-1242/26/5/055013
复制
发表时间：
2011-05
影响因子：
1.9
通讯作者：
Q. M. Wang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
C. M. Wu;B. P. Zhang;J. Z. Shang;L. E. Cai;J. Y. Zhang;J. Z. Yu;Q. M. Wang
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石衬底上生长了高反射率AlN/GaN分布布拉格反射器(DBR)。λ/4AlN1a生长过程中的低温预淀积AlN层和In掺杂
High-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors (DBRs) were grown on c-plane sapphire substrates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). A low temperature (LT) predeposition AlN layer and indium doping during the growth of the λ/4 AlN la
登录
查看更多内容
DOI：
10.1117/12.808644
发表时间：
2009-02
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
H. Kuo;S. W. Chen;T. Kao;C. Kao;J. Chen;T. Lu;S. C. Wang
通讯作者：
H. Kuo;S. W. Chen;T. Kao;C. Kao;J. Chen;T. Lu;S. C. Wang
影响因子：
4
作者：
E. Feltin;J. Carlin;J. Dorsaz;G. Christmann;R. Butté;M. Laügt;M. Ilegems;N. Grandjean
通讯作者：
E. Feltin;J. Carlin;J. Dorsaz;G. Christmann;R. Butté;M. Laügt;M. Ilegems;N. Grandjean
影响因子：
4
作者：
Ng, HM;Moustakas, TD;Chu, SNG
通讯作者：
Chu, SNG
影响因子：
4
作者：
Langer, R;Barski, A;Dang, LS
通讯作者：
Dang, LS
影响因子：
4
作者：
Lu, Tien-Chang;Chen, Shih-Wei;Wang, Shing-Chung
通讯作者：
Wang, Shing-Chung