Structure and antireflection properties of SiNWs arrays form mc-Si wafer through Ag-catalyzed chemical etching
Structure and antireflection properties of SiNWs arrays form mc-Si wafer through Ag-catalyzed chemical etching
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Ag催化化学刻蚀形成多晶硅SiNWs阵列的结构和减反射特性
DOI：
10.1016/j.apsusc.2016.02.028
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发表时间：
2016-04
影响因子：
6.7
通讯作者：
Yun Lei
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shaoyuan Li;Wenhui Ma;Xiuhua Chen;Keqiang Xie;Yuping Li;Xiao He;Xi Yang;Yun Lei
演示了一种简单且低成本的 MACE 方法，可在室温下有效地对商用多晶硅晶圆进行纹理化。仔细研究了制备参数（沉积时间、HF浓度、H2O2浓度和蚀刻时间）对织构化多晶硅的形貌结构和减反射性能的影响。在不同的制造条件下可以获得不同结构的大尺寸SiNWs阵列。同时，结果表明，制备参数对织构化多晶硅样品的反射率影响大小依次为蚀刻时间>沉积时间>H2O2浓度>HF浓度。综合研究结果表明，具有锥形结构且长度为13μm的纳米线阵列更有利于获得优异的减反射性能。在这些优化条件下，织构化的多晶硅显示出了~5.6%的出色抗反射能力，这表明银催化蚀刻多晶硅在高效多晶硅太阳能电池中显示出巨大的潜在应用。
A simple and low cost MACE method was demonstrated for efficiently texturing commercial mc-Si wafer at room temperature. The effects of fabrication parameters (deposition time, HF concentration, H2O2concentration, and etching time) on the morphology structure, antireflection property of textured mc-Si were carefully studied. The large scale SiNWs arrays with different structure can be obtained under various fabrication conditions. Meanwhile, the results indicate that the fabricate parameters have important effect on the reflectance of textured mc-Si sample in the order of etching time > deposition time > H2O2concentration > HF concentration. The comprehensive research results indicate that it is more beneficial for the nanowire arrays with tapering structure and the length of 13 μm to obtain excellent antireflection property. Under these optimization conditions, the textured mc-Si shows an outstanding anti-reflectance ability of ∼5.6%, which indicates that the Ag-catalysis etched mc-Si shows a huge potential application in high-efficiency polysilicon solar cells.
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