Integrated Ring Oscillators based on high-performance Graphene Inverters.
Integrated Ring Oscillators based on high-performance Graphene Inverters.
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DOI：
10.1038/srep02592
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发表时间：
2013
影响因子：
4.6
通讯作者：
Kurz, Heinrich
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Schall, Daniel;Otto, Martin;Neumaier, Daniel;Kurz, Heinrich
关键词：
到目前为止，实现基于石墨烯的复杂集成电路的道路仍然是一个悬而未决的问题。当前基于石墨烯的集成电路受到低集成深度和显著掺杂变化的限制，这代表了石墨烯在未来电子器件中取得成功的主要障碍。在这里，我们报告基于石墨烯的集成逆变器和环形振荡器的实现。通过使用具有局部背栅电极的高性能石墨烯晶体管的优化工艺技术，我们证明了可以可重复地制造复杂的基于石墨烯的集成电路，从而规避与掺杂变化相关的问题。这里开发的制造工艺是可扩展的，与传统的硅技术完全兼容。因此，我们的研究结果为未来电子设备中基于石墨烯晶体管的应用铺平了道路。
The road to the realization of complex integrated circuits based on graphene remains an open issue so far. Current graphene based integrated circuits are limited by low integration depth and significant doping variations, representing major road blocks for the success of graphene in future electronic devices. Here we report on the realization of graphene based integrated inverters and ring oscillators. By using an optimized process technology for high-performance graphene transistors with local back-gate electrodes we demonstrate that complex graphene based integrated circuits can be manufactured reproducibly, circumventing problems associated with doping variations. The fabrication process developed here is scalable and fully compatible with conventional silicon technology. Therefore, our results pave the way towards applications based on graphene transistors in future electronic devices.
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影响因子：
4
作者：
Fix, W;Ullmann, A;Clemens, W
通讯作者：
Clemens, W
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通讯作者：
Shepard, Kenneth L.
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4
作者：
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作者：
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作者：
通讯作者：
--