Systematic Investigation of Interface Properties in 4H-SiC MOS Structures Prepared by Over-Oxidation of Ion-Implanted Substrates
Systematic Investigation of Interface Properties in 4H-SiC MOS Structures Prepared by Over-Oxidation of Ion-Implanted Substrates
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离子注入衬底过度氧化制备的 4H-SiC MOS 结构界面特性的系统研究
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
D.Okamoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takahashi;K.;Fukuda;H.;Ikeda;H.;Doi;H.;Watanabe;K.;Ueda;K.;Shinohara;D.Okamoto;池田華子・福井隆雄・互恵子・高田定樹・渡邊克巳;D.Okamoto
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Si-SiO2界面磷堆积机理
DOI：
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发表时间：
1984
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Kimura;M. Hirose;Y. Ōsaka
通讯作者：
Y. Ōsaka
预注入氮的n型4H-SiC湿法氧化得到的MOS电容器
DOI：
10.1016/j.mee.2007.01.241
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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作者：
A. Poggi;F. Moscatelli;Y. Hijikata;S. Solmi;R. Nipoti
通讯作者：
R. Nipoti
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.693
发表时间：
2005-01-01
期刊：
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004
影响因子：
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作者：
Ciobanu, F;Pensl, G;Schöner, A
通讯作者：
Schöner, A
SiO 2 / Si ( 001 ) 界面掺杂剂偏析机制
影响因子：
3.7
作者：
J. Dabrowski;H. Müssig;V. Zavodinsky;R. J. Baierle;M. Caldas
通讯作者：
M. Caldas
通过 N/Al 共注入表面层过氧化制造的 4H-SiC MOSFET 的高沟道迁移率
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
Mater. Sci. Forum 615-617
影响因子：
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作者：
S. Reshanov;S. Beljakowa;T. Frank;B. Zippelius;G. Pensl;M. Noborio;T. Kimoto
通讯作者：
T. Kimoto