Hole mobility degradation by remote Coulomb scattering and charge distribution in Al2O3/GeOx gate stacks in bulk Ge pMOSFET with GeOx grown by ozone oxidation
Hole mobility degradation by remote Coulomb scattering and charge distribution in Al2O3/GeOx gate stacks in bulk Ge pMOSFET with GeOx grown by ozone oxidation
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通过臭氧氧化生长 GeOx 的块状 Ge pMOSFET 中的 Al2O3/GeOx 栅极堆叠中的远程库仑散射和电荷分布导致空穴迁移率下降
DOI：
10.1088/1361-6463/aa6f96
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发表时间：
2017-05
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Wang Wenwu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhou Lixing;Wang Xiaolei;Ma Xueli;Xiang Jinjuan;Yang Hong;Zhao Chao;Ye Tianchun;Wang Wenwu
实验研究了臭氧氧化法生长GeOx的体Ge p型金属氧化物半导体场效应晶体管（pMOSFET）中GeOx/Al 2 O3栅堆叠固定电荷的远程库仑散射（RCS）引起的空穴迁移率下降。
Hole mobility degradation due to remote Coulomb scattering (RCS) from fixed charges of GeOx/Al2O3 gate stacks is experimentally investigated in bulk Ge p-type metal–oxide–semiconductor field effect transistor (pMOSFET), with GeOx grown by ozone oxidation.
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影响因子：
6.7
作者：
Xiaolei Wang;J. Xiang;Wenwu Wang;Y. Xiong;Jing Zhang;Chao Zhao
通讯作者：
Xiaolei Wang;J. Xiang;Wenwu Wang;Y. Xiong;Jing Zhang;Chao Zhao
影响因子：
6.7
作者：
Xiaolei Wang;Zhiqian Zhao;J. Xiang;Wenwu Wang;Jing Zhang;Jing Zhang;Chao Zhao;Tianchun Ye
通讯作者：
Xiaolei Wang;Zhiqian Zhao;J. Xiang;Wenwu Wang;Jing Zhang;Jing Zhang;Chao Zhao;Tianchun Ye
DOI：
10.1109/iedm.2002.1175873
发表时间：
2002-12
期刊：
Digest. International Electron Devices Meeting,
影响因子：
--
作者：
H. Shang;H. Okorn-Schmidt;K. Chan;M. Copel;J. Ott;P. Kozłowski;S. Steen;S. Cordes;H.-S.P. Wong-H.
通讯作者：
H. Shang;H. Okorn-Schmidt;K. Chan;M. Copel;J. Ott;P. Kozłowski;S. Steen;S. Cordes;H.-S.P. Wong-H.
影响因子：
3.2
作者：
N. Taoka;W. Mizubayashi;Y. Morita;S. Migita;H. Ota;S. Takagi
通讯作者：
N. Taoka;W. Mizubayashi;Y. Morita;S. Migita;H. Ota;S. Takagi
影响因子：
3.1
作者：
M. Cassé;L. Thevenod;B. Guillaumot;L. Tosti;F. Martin;J. Mitard;O. Weber;F. Andrieu;T. Ernst;G. Reimbold;T. Billon;M. Mouis;F. Boulanger
通讯作者：
M. Cassé;L. Thevenod;B. Guillaumot;L. Tosti;F. Martin;J. Mitard;O. Weber;F. Andrieu;T. Ernst;G. Reimbold;T. Billon;M. Mouis;F. Boulanger