Self-Powered UV-B Photodetector Based on Hybrid Al:MgZnO/PEDOT:PSS Schottky Diode
Self-Powered UV-B Photodetector Based on Hybrid Al:MgZnO/PEDOT:PSS Schottky Diode
复制标题
基于混合 Al:MgZnO/PEDOT:PSS 肖特基二极管的自供电 UV-B 光电探测器
DOI：
10.1109/led.2016.2631551
复制
发表时间：
2017
影响因子：
4.9
通讯作者：
Yanqin Chen
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Qinghong Zheng;Jin Huang;Chuxia Han;Yanqin Chen
在蓝宝石衬底上制备了 Mg 含量高达 47.5% 的宽带隙 Al 掺杂 MgZnO (AMZO) 薄膜。通过锌蒸气退火，AMZO 薄膜的电导率得到了极大的提高。通过引入聚(3, 4-乙烯二氧噻吩)聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)作为肖特基接触来制造垂直结构光电二极管。该光电二极管表现出对 UV-B 光的特性响应，在 278 nm 处的峰值响应率为 19.1 mA/W，在没有外部偏置的情况下，可见光抑制比超过两个数量级。高性能归因于 AMZO 薄膜的高导电性和使用 PEDOT:PSS 形成的良好肖特基接触。
Wide bandgap Al-doped MgZnO (AMZO) films with a Mg content up to 47.5% were prepared on sapphire substrates. Conductivities of the AMZO films were greatly improved through zinc vapor annealing. Vertical structure photodiodes were fabricated by introducing poly (3, 4-ethylenedioxythiophene) poly (styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) as a Schottky contact. The photodiode showed characteristics response to the UV-B light, with a peak responsivity of 19.1 mA/W at 278 nm and a visible rejection ratio of over two orders without external bias. The high performance was attributed to the high conductivity of the AMZO film and good Schottky contact formed using PEDOT:PSS.
登录
查看更多内容
ZnO发光器件，寿命6.8小时
影响因子：
4
作者：
Liu, J. S.;Shan, C. X.;Shen, D. Z.
通讯作者：
Shen, D. Z.
影响因子：
3.8
作者：
Zhibing Zhan;Jiye Zhang;Qinghong Zheng;D. Pan;Jin Huang;F. Huang;Zhang Lin
通讯作者：
Zhibing Zhan;Jiye Zhang;Qinghong Zheng;D. Pan;Jin Huang;F. Huang;Zhang Lin
影响因子：
3.2
作者：
I. Takeuchi;W. Yang;K. Chang;M. Aronova;T. Venkatesan;R. Vispute;L. Bendersky
通讯作者：
I. Takeuchi;W. Yang;K. Chang;M. Aronova;T. Venkatesan;R. Vispute;L. Bendersky
过量锌获得的退化 MgZnO 薄膜
影响因子：
1.8
作者：
Liu, J. S.;Shan, C. X.;Shen, D. Z.
通讯作者：
Shen, D. Z.
影响因子：
4
作者：
G. Tabares;A. Hierro;J. Ulloa;A. Guzmán;E. Muñoz;A. Nakamura;T. Hayashi;J. Temmyo
通讯作者：
G. Tabares;A. Hierro;J. Ulloa;A. Guzmán;E. Muñoz;A. Nakamura;T. Hayashi;J. Temmyo