Coulomb-staircase observed in silicon-nanodisk structures fabricated by low-energy chlorine neutral beams
Coulomb-staircase observed in silicon-nanodisk structures fabricated by low-energy chlorine neutral beams
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低能氯中性束制造的硅纳米盘结构中观察到的库仑阶梯
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Tomohiro Kubota
中科院分区：
文献类型：
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作者：
田村英樹;曽根田敏昭;富川義朗;広瀬精二;Tomohiro Kubota
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通过新型超浅深度分析技术研究反应离子蚀刻硅
影响因子：
4
作者：
W. Chang;L. Huang;W. Lau;T. Abraham;M. King
通讯作者：
M. King
脉冲时间调制氮束形成的超薄氮氧化物薄膜中氮深度分布的控制
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology A22・2
影响因子：
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作者：
遠藤和彦;寒川誠二;Kazuhiko Endo;Seiji Samukawa;寒川 誠二;寒川 誠二;大竹浩人;久保田智広;石川健治;野田周一;Hiroto Ohtake;Tomohiro Kubota;Kenji Ishikawa;Shuichi Noda;寒川 誠二;寒川 誠二;寒川誠二;寒川誠二;寒川誠二
通讯作者：
寒川誠二
使用中性束蚀刻系统进行 50 nm 栅电极图案化
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology A22・4
影响因子：
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作者：
遠藤和彦;寒川誠二;Kazuhiko Endo;Seiji Samukawa;寒川 誠二;寒川 誠二;大竹浩人;久保田智広;石川健治;野田周一;Hiroto Ohtake;Tomohiro Kubota;Kenji Ishikawa;Shuichi Noda;寒川 誠二;寒川 誠二;寒川誠二;寒川誠二;寒川誠二;久保田智広;野田周一
通讯作者：
野田周一
使用铁蛋白铁芯掩模和低能 Cl 中性束制备的 7 nm 纳米柱结构
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Applied Physics Letters 84(9)
影响因子：
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作者：
H.Sai;H.Yugami;寒川誠二;小野崇人;小野崇人;寒川誠二;小野崇人;寒川誠二
通讯作者：
寒川誠二
影响因子：
2.9
作者：
Samukawa, S;Sakamoto, K;Ichiki, K
通讯作者：
Ichiki, K