InAs nanostructures for solar cell: Improved efficiency by submonolayer quantum dot
InAs nanostructures for solar cell: Improved efficiency by submonolayer quantum dot
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用于太阳能电池的 InAs 纳米结构：通过亚单层量子点提高效率
DOI：
10.1016/j.solmat.2021.111026
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发表时间：
2021
影响因子：
6.9
通讯作者：
Mazur, Yuriy I.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Alnami, Najla;Kumar, Rahul;Kuchuk, Andrian;Maidaniuk, Yurii;Saha, Samir K.;Alnami, Alaa A.;Alhelais, Reem;Kawagy, Alaa;Ware, Morgan E.;Mazur, Yuriy I.
研究了PIN结太阳电池本征区不同量子结构对光电性能的影响。具有不同量子结构的SC，例如，Stranski-Krastanov（SK）量子点（QD），量子阱（QW），亚单层（SML）QD（0.25 ML，0.5 ML和0.75 ML）和准单层（1 ML）InAs堆叠，同时保持所有SC中的总InAs含量相同。在性能比较中，与其他器械相比，SML-QD样品提供了上级的性能（与参比SC相比，相对效率提高了近23%）。此外，不同的覆盖率的SML InAs已被测试的太阳能电池的最佳性能改善和近0.25 ML InAs沉积被发现最好的太阳能电池的应用。这些发现提出了一个有前途的替代SK量子点作为中间带在光伏应用。
The effect of different quantum structures in the intrinsic region of a pin junction solar cell (SC) on the optical and electrical properties have been investigated. SCs with different quantum structures, such as, Stranski-Krastanov (SK) quantum dots (QDs), quantum well (QW), submonolayer (SML) QDs (0.25 ML, 0.5 ML and 0.75 ML) and a quasi-monolayer (1 ML) InAs stack, were fabricated while keeping the total InAs content the same in all SCs. In a comparison of performance, the SML-QD sample delivered superior performance (Almost 23% relative efficiency improvement compared to reference SC) compared to the other devices. Moreover, different coverages of SML InAs have been tested for optimum performance improvement of solar cell and near 0.25 ML InAs deposition was found best for solar cell application. These findings present a promising alternative to SK-QDs as intermediate band in photovoltaic applications.
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