GaAsxSb1-x/GaAs量子ドットのキャリア寿命のAs組成依存性

GaAsxSb1-x/GaAs量子ドットのキャリア寿命のAs組成依存性
复制标题

GaAsxSb1-x/GaAs 量子点载流子寿命的成分依赖性

DOI:
--
复制
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
岡田至崇
岡田至崇
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
樗木悠亮;庄司靖;宮下直也;岡田至崇

文献摘要

参考文献

相似文献

应变对 GaAsSb/GaAs 量子阱能带排列的影响
DOI: --
发表时间: 2017
期刊:
影响因子: --
作者:
Christina M. Jones;E. Kioupakis
通讯作者: E. Kioupakis
利用光子循环的薄膜太阳能电池新模型
DOI: 10.1016/j.rinp.2020.103024
发表时间: 2020
期刊: Results in physics
影响因子: 5.3
作者:
Abdulrahman Aloraynan;C. Selvakumar
通讯作者: C. Selvakumar
限制在应变 GaN/Ga 1- x Al x N 圆柱点中的激子的辐射寿命:内置电场效应
DOI: --
发表时间: 2011
期刊:
影响因子: --
作者:
C. Lee;A. Peter
通讯作者: A. Peter
通过富铝封盖实现 GaSb/GaAs 量子点的高度稳定
DOI: --
发表时间: 2014
期刊:
影响因子: --
作者:
Ep Erwin Smakman;M. Dejarld;M. Luengo;Andrew J. Martin;V. Sih;P. Koenraad;J. Millunchick
通讯作者: J. Millunchick
用于在 GaAs (001) 衬底上生长的 GaAsSb 层中掺入锑的 Sb 离解表面覆盖模型
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.125231
发表时间: 2019
影响因子: 1.8
作者:
Zewen Zhang;K. Ghosh;N. Faleev;H. Wang;C. Honsberg;P. Reece;S. Bremner
通讯作者: S. Bremner