Influence of device geometry on electrical characteristics of a 10.7 nm SOI-FinFET
Influence of device geometry on electrical characteristics of a 10.7 nm SOI-FinFET
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器件几何形状对 10.7 nm SOI-FinFET 电气特性的影响
DOI：
10.1109/iwce.2014.6865877
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Abdikarimov A
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Abdikarimov A
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器件几何形状和掺杂浓度变化对 22nm FinFET 电气特性的影响
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
IEEE International Conference ON Emerging Trends in Computing, Communication and Nanotechnology
影响因子：
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作者：
K. Sivasankaran;P. S. Mallick;T. R. K. K. Chitroju
通讯作者：
T. R. K. K. Chitroju
取向、几何形状和应变对硅环栅 (GAA) MOSFET 中电子分布的影响
影响因子：
3.1
作者：
I. M. Tienda;F. Ruiz;A. Godoy;B. Biel;F. Gámiz
通讯作者：
F. Gámiz
对由于栅极线边缘粗糙度 (LER) 引起的十纳米 MOS 器件的固有波动进行建模
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
IEEE International Symposium on Quality Electronic Design
影响因子：
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作者：
N. Gunther;E. Hamadeh;D. Niemann;I. Pesic;Mahmudur Rahman
通讯作者：
Mahmudur Rahman
使用阻抗场法对随机掺杂波动进行建模
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, 2003. SISPAD 2003.
影响因子：
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作者：
A. Wettstein;O. Penzin;Eugeny Lyumkis;Wolfgang Fichtner
通讯作者：
Wolfgang Fichtner
LER、RDF 和 MGG 引入的纳米级晶体管统计变异性研究
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
Spanish Conference on Electron Devices
影响因子：
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作者：
G. Indalecio;A. García;M. Aldegunde;K. Kalna
通讯作者：
K. Kalna