A 7-nm FinFET 1.2-TB/s/mm2 3D-Stacked SRAM with an Inductive Coupling Interface Using Over-SRAM Coils and Manchester-Encoded Synchronous Transceivers
A 7-nm FinFET 1.2-TB/s/mm2 3D-Stacked SRAM with an Inductive Coupling Interface Using Over-SRAM Coils and Manchester-Encoded Synchronous Transceivers
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具有电感耦合接口的 7 nm FinFET 1.2 TB/s/mm2 3D 堆叠 SRAM，使用 Over SRAM 线圈和曼彻斯特编码同步收发器
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Kuroda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Shiba;M. Okada;A. Kosuge;M. Hamada;and T. Kuroda
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影响因子：
5.4
作者：
Chang, Tsung-Yung Jonathan;Chen, Yen-Huei;Li, Quincy
通讯作者：
Li, Quincy
通过 ThruChip 无线连接实现低成本 3D 芯片堆叠
DOI：
10.1109/hotchips.2014.7478813
发表时间：
2014
期刊：
2014 IEEE Hot Chips 26 Symposium (HCS)
影响因子：
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作者：
D. Ditzel
通讯作者：
D. Ditzel
22.1 采用数据总线窗口扩展技术和协同片上 ECC 方案的 1.1V 16GB 640GB/s HBM2E DRAM
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
IEEE International Solid-State Circuits Conference
影响因子：
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作者：
C. Oh;K. Chun;Y. Byun;Yong;So;Yesin Ryu;Jaewon Park;Si;S. Cha;Dong;Jungyu Lee;J. Son;Byung;Seong;Beomyong Kil;Sungoh Ahn;B. Lim;Yong;Ki;Myung;S. Baek;J.Y. Noh;Jaewook Lee;Seungseob Lee;Sooyoung Kim;Bo;Seouk;Jin;Hye;Hyuk;J. Kong;Kyomin Sohn;N. Kim;Kwang;Jung
通讯作者：
Jung
用于改善 AI 推理 TSV-SiP 热特性的 CoW 封装解决方案
DOI：
10.1109/ectc32696.2021.00182
发表时间：
2021
期刊：
2021 IEEE 71st Electronic Components and Technology Conference (ECTC)
影响因子：
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作者：
S. Seo;Chajea Jo;Mina Choi;Taehwan Kim;Hyoeun Kim
通讯作者：
Hyoeun Kim