様々な結晶成長 -Bi系III-V族半導体半金属混晶の分子線エピタキシャル成長から細菌を用いたGaAs系III-V族化合物半導体混晶まで-
様々な結晶成長 -Bi系III-V族半導体半金属混晶の分子線エピタキシャル成長から細菌を用いたGaAs系III-V族化合物半導体混晶まで-
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各种类型的晶体生长 - 从 Bi 基 III-V 族半导体半金属混晶的分子束外延生长到使用细菌的 GaAs 基 III-V 族化合物半导体混晶 -
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
富永 依里子
中科院分区：
文献类型：
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作者：
簗瀬 智史;赤羽 浩一;松本 敦;梅沢 俊匡; 山本 直克;富永 依里子;菅野 敦史;前田 智弘;外林 秀之;富永 依里子
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GaAs 衬底上气源分子束外延生长 TlInGaAs 层
DOI：
10.1143/jjap.41.1016
发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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作者：
H. Lee;Akiko Mizobata;O. Maeda;Kenta Konishi;K. Asami;H. Asahi
通讯作者：
H. Asahi
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
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影响因子：
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作者：
M. Henini
通讯作者：
M. Henini
GaAs-AlAs量子阱结构中的一种原子层异质界面涨落及其在分子束外延中插入平滑周期的抑制
影响因子：
1.5
作者：
H. Sakaki;Masaaki Tanaka;J. Yoshino
通讯作者：
J. Yoshino
影响因子：
3.2
作者：
Huang, W;Oe, K;Yoshimoto, M
通讯作者：
Yoshimoto, M
通过气源分子束外延在 GaAs 衬底上生长 TlGaP 层
DOI：
10.1143/jjap.36.l665
发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
--
作者：
Masahiro Fushida;H. Asahi;Kazuhiko Yamamoto;Hideki Koh;K. Asami;Shunji Oe
通讯作者：
Shunji Oe