Controlling Surface Carrier Density via a PEDOT:PSS Gate: An Application to the Study of Silicon-Dielectric Interface Recombination
Controlling Surface Carrier Density via a PEDOT:PSS Gate: An Application to the Study of Silicon-Dielectric Interface Recombination
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通过 PEDOT:PSS 门控制表面载流子密度：在硅电介质界面复合研究中的应用
DOI：
10.1002/solr.201800172
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
7.9
通讯作者：
Bonilla R
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Bonilla R
该通信报告了一种在光电导衰减测量期间通过使用半透明PEDOT：PSS栅极来控制硅的表面载流子数量的技术。该技术的潜力已通过表征1 cm n型浮区硅的载流子依赖性表面复合得到证明，该浮区硅用SiO2、SiO2/SiNx、a-Si/SiOx、a-Si/SiOx/SiNx、AlOx或AlOx/SiNx的电介质堆叠层钝化。尽管存在漏电流，但Si-电介质界面处的载流子密度已被从重反转控制到重积累状态。这为硅表面的复合活性提供了有见地的信息。
This communication reports a technique to control the surface carrier population of silicon during photo‐conductance decay measurements, by using a semi‐transparent PEDOT:PSS gate. The potential of this technique has been demonstrated by characterizing carrier‐dependent surface recombination of 1 cm n‐type float zone silicon, passivated with dielectric stack layers of either SiO2, SiO2/SiNx, a‐Si/SiOx, a‐Si/SiOx/SiNx, AlOx, or AlOx/SiNx. Carrier density at the Si‐dielectric interface has been controlled from heavy inversion to heavy accumulation regimes despite leakage currents. This has provided insightful information into the recombination activity at the silicon surface.
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DOI：
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DOI：
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