Quasi-Nondestructive Read Out of Ferroelectric Capacitor Polarization by Exploiting a 2TnC Cell to Relax the Endurance Requirement
Quasi-Nondestructive Read Out of Ferroelectric Capacitor Polarization by Exploiting a 2TnC Cell to Relax the Endurance Requirement
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利用 2TnC 单元准无损读出铁电电容器极化以放宽耐久性要求
DOI：
10.1109/led.2023.3290940
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发表时间：
2023
影响因子：
4.9
通讯作者：
Ni, Kai
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xiao, Yi;Deng, Shan;Zhao, Zijian;Faris, Zubair;Xu, Yixin;Huang, Tzu-Jung;Narayanan, Vijaykrishnan;Ni, Kai
在这项工作中，我们利用2TnC铁电随机存取存储器(FeRAM)单元的设计来实现电容器中铁电极化的准无损读出(QNRO)，这可以放宽对铁电薄膜的耐久要求，并充分发挥铁电薄膜和铁电FET(FeFET)的优点。我们证明：i)QNRO传感在实验中成功进行，通断比(/)>；103，读取耐久>；106循环，可以将FeRAM的耐久要求放宽10%；ii)通过调整金属-铁电-金属电容器(MFM)电容器来读取晶体管面积比和读取晶体管阈值电压()，可以实现单元性能的优化；iii)2TnC单元结构是3D兼容的，能够集成高密度存储解决方案；iv)2TnC单元结构还可以实现FeRAM的存储器中计算(CIM)应用，这还没有得到广泛的探索。有了这项技术，就可以实现以存储和内存为中心的计算。
In this work, we exploit a 2TnC ferroelectric random access memory (FeRAM) cell design to realize the quasi-nondestructive readout (QNRO) of ferroelectric polarization () in a capacitor, which can relax the endurance requirement of the ferroelectric thin film and exploits the benefits of both FeRAM and ferroelectric FET (FeFET). We demonstrate that: i) QNRO sensing ofis conducted successfully in experiment with a ON/OFF ratio (/) > 103,, and read endurance > 106 cycles, which can relax the FeRAM endurance requirement by 10; ii) optimization of the cell performance can be realized by tuning the metal-ferroelectric-metal capacitor (MFM) capacitor to read transistor area ratio and read transistor threshold voltage (); iii) the 2TnC cell structure is 3D-compatible, enabling integration of highly dense memory solution; iv) the 2TnC cell structure also enables compute-in-memory (CIM) applications of FeRAM, which has not been widely explored. With this technology, storage and memory-centric computing can be enabled.
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影响因子：
0.7
作者：
Zambrano, R
通讯作者：
Zambrano, R
基于铁电 Hf0.5Zr0.5O2 的 SoC 兼容 1 T1 C FeRAM 存储器阵列
DOI：
10.1109/vlsitechnology18217.2020.9265063
发表时间：
2020
期刊：
2020 IEEE Symposium on VLSI Technology
影响因子：
--
作者：
J. Okuno;Takafumi Kunihiro;Kenta Konishi;Hideki Maemura;Yusuke Shute;Fumitaka Sugaya;M. Materano;T. Ali;Kati Kuehnel;Konrad Seide;U. Schroeder;T. Mikolajick;M. Tsukamoto;T. Umebayashi
通讯作者：
T. Umebayashi
Si:HfO2 铁电场效应晶体管的亚纳秒开关。
影响因子：
10.8
作者：
M. Dahan;H. Mulaosmanovic;O. Levit;Stefan Dünkel;S. Beyer;E. Yalon
通讯作者：
E. Yalon
DOI：
10.1109/tcad.2022.3197694
发表时间：
2023-04
影响因子：
2.9
作者：
Xunzhao Yin;Yu Qian;M. Imani;K. Ni;Chao Li;Grace Li Zhang;Bing Li;Ulf Schlichtmann;Cheng Zhuo
通讯作者：
Xunzhao Yin;Yu Qian;M. Imani;K. Ni;Chao Li;Grace Li Zhang;Bing Li;Ulf Schlichtmann;Cheng Zhuo
影响因子：
34.3
作者：
Khan, Asif Islam;Keshavarzi, Ali;Datta, Suman
通讯作者：
Datta, Suman