On the modeling of Coulomb scattering in p-MOSFETs with hafnium based metal gate stacks
On the modeling of Coulomb scattering in p-MOSFETs with hafnium based metal gate stacks
复制标题
铪基金属栅极堆叠 p-MOSFET 中库仑散射的建模
DOI：
10.1016/j.sse.2014.12.021
复制
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
B. Meinerzhagen
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Kuligk;B. Meinerzhagen
登录
查看更多内容
具有铪基/金属栅极堆叠的 n 型和 p 型金属氧化物半导体场效应晶体管迁移率降低的根源
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
P. Toniutti;P. Palestri;D. Esseni;F. Driussi;M. Michielis;L. Selmi
通讯作者：
L. Selmi
Si/HfO/sub 2//TiN 和 SiGe:C/HfO/sub 2//TiN 表面沟道 n- 和 p-MOSFET 迁移率散射机制的实验测定
DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting, 2004.
影响因子：
--
作者：
O. Weber;F. Andrieu;M. Cassé;T. Ernst;J. Mitard;F. Ducroquet;J. Damlencourt;J. Hartmann;D. Lafond;A. Papon;L. Militaru;L. Thevenod;K. Romanjek;C. Leroux;F. Martin;B. Guillaumot;G. Ghibaudo;S. Deleonibus
通讯作者：
S. Deleonibus
全面了解双轴应变 Si pMOSFET 中的库仑散射迁移率
影响因子：
3.1
作者：
Yi Zhao;M. Takenaka;S. Takagi
通讯作者：
S. Takagi
关于应变双栅 PMOSFET 确定性多子带器件模拟的数值方面
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Pham;C. Jungemann;B. Meinerzhagen
通讯作者：
B. Meinerzhagen
无需蒙特卡罗算法求解玻尔兹曼输运方程 - 工业 TCAD 应用的新方法
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices
影响因子：
--
作者：
B. Meinerzhagen;A. Pham;S.;C. Jungemann
通讯作者：
C. Jungemann