Ohmic contact formation of metal/amorphous-Ge/n-Ge junctions with an anomalous modulation of Schottky barrier height
Ohmic contact formation of metal/amorphous-Ge/n-Ge junctions with an anomalous modulation of Schottky barrier height
复制标题
通过肖特基势垒高度的反常调制形成金属/非晶-Ge/n-Ge结的欧姆接触
DOI：
10.1063/1.4901421
复制
发表时间：
2014-11
影响因子：
4
通讯作者：
Huang, Wei
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang, Chen;Chen, Songyan;Li, Cheng;Huang, Wei
The modulation of Schottky barrier height of metal/Ge inserting an amorphous Ge layer has been demonstrated. It is interested that the Schottky barrier height of Al/amorphous-Ge/n-Ge junctions is oscillated with increase of the a-Ge thickness from 0 to 10 nm, and when the thickness reaches above 10 nm, the Al/amorphous-Ge/n-Ge shows ohmic characteristics. Electron hopping through localized states of a-Ge layer, the alleviation of metal induced gap states, as well as the termination of dangling bonds at the amorphous-Ge/n-Ge interface are proposed to explain the anomalous modulation of Schottky barrier height.
登录
查看更多内容
通过改变 TaN 厚度来调节金属/TaN/n-Ge 结的肖特基势垒高度
DOI：
10.1109/ted.2012.2187455
发表时间：
2012-02
期刊：
IEEE. Tran. Electron Devices
影响因子：
--
作者：
Zheng Wu;Wei Huang;Cheng Li;Hongkai Lai;Songyan Chen
通讯作者：
Songyan Chen
影响因子：
3.2
作者：
J. Wager;J. Robertson
通讯作者：
J. Wager;J. Robertson
影响因子：
4
作者：
Yi Zhou;M. Ogawa;Xinhai Han;Kang L. Wang
通讯作者：
Yi Zhou;M. Ogawa;Xinhai Han;Kang L. Wang
影响因子：
4
作者：
Nishimura, Tomonori;Kita, Koji;Toriumi, Akira
通讯作者：
Toriumi, Akira
影响因子：
1.6
作者：
N. Mott
通讯作者：
N. Mott