Si/HZO強誘電体FETの動作機構－MOS（MFIS）界面で起こる現象－
Si/HZO強誘電体FETの動作機構－MOS（MFIS）界面で起こる現象－
复制标题
Si/HZO铁电FET的工作机制 - MOS（MFIS）界面发生的现象 -
DOI：
--
复制
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
トープラサートポン カシディット，李宗恩，Zaoyang Lin，田原建人，渡辺耕坪，竹中充，高木信一
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang Xichao;Xia Jing;Liu Xiaoxi;トープラサートポン カシディット，李宗恩，Zaoyang Lin，田原建人，渡辺耕坪，竹中充，高木信一
登录
查看更多内容
影响因子：
2.3
作者：
Fujikata, Junichi;Noguchi, Masataka;Takenaka, Mitsuru
通讯作者：
Takenaka, Mitsuru
InP光子线波导采用InAlAs氧化物包覆层。
影响因子：
3.8
作者：
M. Takenaka;Y. Nakano
通讯作者：
Y. Nakano
30 GHz 异构集成电容式 InP-on-Si Mach-Zehnder 调制器。
影响因子：
3.8
作者：
T. Thiessen;P. Grosse;J. D. Fonseca;P. Billondeau;B. Szelag;C. Jany;J. Poon;S. Menezo
通讯作者：
S. Menezo
DOI：
10.1364/ofc.2015.w4h.3
发表时间：
2015-03
期刊：
2015 Optical Fiber Communications Conference and Exhibition (OFC)
影响因子：
--
作者：
M. Webster;Kumar Lakshmikumar;C. Appel;C. Muzio;B. Dama;K. Shastri
通讯作者：
M. Webster;Kumar Lakshmikumar;C. Appel;C. Muzio;B. Dama;K. Shastri
带隙收缩对 InGaAsP 载流子引起的折射率变化的影响
影响因子：
4
作者：
D. Botteldooren;R. Baets
通讯作者：
R. Baets