近接場ラマン顕微鏡: Near-field Raman microscope
近接場ラマン顕微鏡: Near-field Raman microscope
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近场拉曼显微镜： 近场拉曼显微镜
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
齊藤結花
中科院分区：
文献类型：
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作者：
森基彰;安倍駿介;近藤崇博;齊藤結花;Yuika Saito;齊藤結花;齊藤結花
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利用紫外共振拉曼散射扫描近场光学拉曼显微镜对应变 Si∕SiGe 异质结构的近场拉曼散射光进行高灵敏度检测
影响因子：
4
作者：
M. Yoshikawa;M. Murakami;H. Ishida
通讯作者：
H. Ishida
通过机械单轴应力增强 4H-SiC (0001) 横向金属氧化物半导体场效应晶体管的迁移率
影响因子：
1.5
作者：
W. Takeuchi;K. Kutsuki;E. Kagoshima;T. Onishi;S. Iwasaki;M. Sakashita;H. Fujiwara;O. Nakatsuka
通讯作者：
O. Nakatsuka
SiC (0001)、(11-20)、(1-100) MOSFET 中霍尔迁移率的体层浓度依赖性
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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作者：
伊藤 滉二;田中 一;堀田 昌宏;須田 淳;木本 恒暢
通讯作者：
木本 恒暢
使用非接触模式扫描近场光学拉曼显微镜表征 Si 纳米结构，空间分辨率为 100 nm，深度分辨率为 5 nm，采用紫外共振拉曼散射
影响因子：
4
作者：
M. Yoshikawa;M. Murakami;H. Ishida
通讯作者：
H. Ishida
先进的半导体光学光谱技术：拉曼光谱、红外光谱和阴极发光光谱
DOI：
10.1007/978-3-031-19722-2
发表时间：
2023
期刊：
Advanced Optical Spectroscopy Techniques for Semiconductors
影响因子：
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作者：
M. Yoshikawa
通讯作者：
M. Yoshikawa