Holding-voltage drift of a silicon-controlled rectifier with different film thicknesses in silicon-on-insulator technology
Holding-voltage drift of a silicon-controlled rectifier with different film thicknesses in silicon-on-insulator technology
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绝缘体上硅技术中不同膜厚可控硅的保持电压漂移
DOI：
10.1088/1674-4926/33/3/034006
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发表时间：
2012-03
影响因子：
5.1
通讯作者：
Han, Zhengsheng1
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jiang, Yibo1;Zeng, Chuanbin1;Du, Huan1;Luo, Jiajun1;Han, Zhengsheng1
本文提出了一种新的现象，即硅控整流器的保持电压在不同的膜厚绝缘体上硅（SOI）技术作为一个静电放电保护漂移。用0.18 μ mSOI工艺制作的芯片证实了这一现象。通过伊势TCAD模拟，对保持电压漂移进行了模拟，并对其机理进行了全面的讨论。
This paper presents a new phenomenon, where the holding-voltage of a silicon-controlled rectifier acts as an electrostatic-discharge protection drift in diverse film thicknesses in silicon-on-insulator (SOI) technology. The phenomenon was demonstrated through fabricated chips in 0.18 μm SOI technology. The drift of the holding voltage was then simulated, and its mechanism is discussed comprehensively through ISE TCAD simulations.
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DOI：
10.1109/iedm.2006.346971
发表时间：
2006-12
期刊：
2006 International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
A. Salman;S. Beebe;M. Emam;M. Pelella;D. Ioannou
通讯作者：
A. Salman;S. Beebe;M. Emam;M. Pelella;D. Ioannou
影响因子：
3.1
作者：
M. Ker;Zi-Ping Chen
通讯作者：
M. Ker;Zi-Ping Chen
DOI：
10.1109/vtsa.2001.934478
发表时间：
2001
期刊：
2001 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications. Proceedings of Technical Papers (Cat. No.01TH8517)
影响因子：
--
作者：
M. Ker;Kei-Kang Hong;Tung-Yang Chen;H. Tang;S. Huang;S.-S. Chen-S.;C. Huang;M. Wang;Y. Loh
通讯作者：
M. Ker;Kei-Kang Hong;Tung-Yang Chen;H. Tang;S. Huang;S.-S. Chen-S.;C. Huang;M. Wang;Y. Loh
DOI：
--
发表时间：
1999
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
B. Razavi
通讯作者：
B. Razavi
DOI：
10.1016/j.microrel.2006.11.011
发表时间：
2005-09
期刊：
2005 Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium
影响因子：
--
作者：
O. Marichal;G. Wybo;B. Camp;Pieter Vanysacker;B. Keppens
通讯作者：
O. Marichal;G. Wybo;B. Camp;Pieter Vanysacker;B. Keppens