Safe-Operating-Area of Snubberless Series Connected Silicon and SiC power devices
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复制标题
无缓冲器串联硅和 SiC 功率器件的安全工作区
DOI：
10.1109/ecce.2018.8557402
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Davletzhanova Z
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Davletzhanova Z
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DOI：
10.1109/icpe.2015.7168028
发表时间：
2015-06
期刊：
2015 9th International Conference on Power Electronics and ECCE Asia (ICPE-ECCE Asia)
影响因子：
--
作者：
P. Alexakis;O. Alatise;J. Hu;S. Jahdi;J. González;L. Ran;P. Mawby
通讯作者：
P. Alexakis;O. Alatise;J. Hu;S. Jahdi;J. González;L. Ran;P. Mawby
影响因子：
7.7
作者：
Ji Hu;O. Alatise;J. González;R. Bonyadi;P. Alexakis;L. Ran;P. Mawby
通讯作者：
Ji Hu;O. Alatise;J. González;R. Bonyadi;P. Alexakis;L. Ran;P. Mawby
寄生电感对碳化硅肖特基势垒二极管性能的影响
影响因子：
6.7
作者：
O. Alatise;N. Parker;D. Hamilton;P. Mawby
通讯作者：
P. Mawby
利用驱动信号调节技术优化固态断路器中串联IGBT的电压平衡
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
IEEE International Future Energy Electronics Conference
影响因子：
--
作者：
Fan Zhang;Xu Yang;Yu Ren;Chen Li;Ruifeng Gou
通讯作者：
Ruifeng Gou
带主动电压控制的串联 SiC MOSFET
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications
影响因子：
--
作者：
P. Palmer;Jin Zhang;Xueqiang Zhang
通讯作者：
Xueqiang Zhang