A self-aligned process for phase-change material nanowire confined within metal electrode nanogap
A self-aligned process for phase-change material nanowire confined within metal electrode nanogap
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金属电极纳米间隙内相变材料纳米线的自对准工艺
DOI：
10.1063/1.3650928
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发表时间：
2011-10
影响因子：
4
通讯作者：
Yang, Fuhua
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang, Xiaodong;Hu, Chuanxian;Yang, Xiang;Fu, Yingchun;Chen, Xiaogang;Song, Zhitang;Feng, Songlin;Ji, An;Yang, Fuhua
提出了一种基于电子束光刻和电感耦合等离子体刻蚀的自对准制备方法，将相变材料纳米线（NW）完全限制在金属电极纳米间隙内。横向相变随机存取存储器器件的制造证明了这个过程与Ge2Sb2Te5 NW限制在39 nm的钨电极纳米间隙和电特性进行了说明。实验结果表明，该器件的阈值电流仅为2 μA，直流功耗也非常低。该工艺简单、灵活，实现了定位灌装。此外，该过程可以很容易地转移到其他类型的相变和纳米电子材料。
A self-aligned fabrication process is presented by which phase-change material nanowire (NW) perfectly confined within metal electrode nanogap based on electron-beam lithography and inductively coupled plasma etching process. Lateral phase-change random access memory device fabrication is demonstrated by this process with Ge2Sb2Te5 NW confined within 39 nm tungsten electrode nanogap and the electrical characterizations are illustrated. It is found that the threshold current is only 2 μA and the dc power consumption is remarkably low. The process is simple, flexible and achieves localization filling. In addition, the process can be easily transferred to other types of phase-change and nanoelectronics materials.
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