Selective and lithography-independent fabrication of 20 nm nano-gap electrodes and nano-channels for nanoelectrofluidics applications
Selective and lithography-independent fabrication of 20 nm nano-gap electrodes and nano-channels for nanoelectrofluidics applications
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用于纳米电流体应用的 20 nm 纳米间隙电极和纳米通道的选择性且独立于光刻的制造
DOI：
10.1088/0957-4484/21/7/075303
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发表时间：
2010-02
期刊：
影响因子：
3.5
通讯作者：
樊中朝
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
杨富华;王晓东;王晓峰;张加勇;季安;李艳;樊中朝
发展了一种利用传统光刻技术选择性地制作纳米间隙电极和纳米通道的新方法。基于牺牲间隔层工艺，我们成功地获得了亚100 nm的纳米间隙电极和纳米通道，并通过缩小牺牲间隔层尺寸进一步将尺寸减小到20 nm。我们的方法显示出良好的选择性之间的纳米间隙电极和纳米通道，由于不同的牺牲间隔蚀刻条件。对于纳米间隙电极和纳米通道没有长度限制。本文报道的方法还允许晶片规模制造，高产量，低成本，和与现代半导体技术的良好兼容性。
A new method has been developed to selectively fabricate nano-gap electrodes and nano-channels by conventional lithography. Based on a sacrificial spacer process, we have successfully obtained sub-100-nm nano-gap electrodes and nano-channels and further reduced the dimensions to 20 nm by shrinking the sacrificial spacer size. Our method shows good selectivity between nano-gap electrodes and nano-channels due to different sacrificial spacer etch conditions. There is no length limit for the nano-gap electrode and the nano-channel. The method reported in this paper also allows for wafer scale fabrication, high throughput, low cost, and good compatibility with modern semiconductor technology.
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