Totally solution-processed feerroelectric-gate thin-film transistor
Totally solution-processed feerroelectric-gate thin-film transistor
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全溶液加工的铁电栅极薄膜晶体管
DOI：
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发表时间：
2010
影响因子：
4
通讯作者：
and Tatsuya Shimoda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takaaki Miyasako;Bui Nguyen Quoc Trinh;Masatoshi Onoue;Toshihiko Kaneda;Phan Tron Tue;Eisuke Tokumitsu;and Tatsuya Shimoda
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通过场效应晶体管中辐射引起的缺陷进行复合
DOI：
10.1063/1.357073
发表时间：
1994
期刊：
影响因子：
--
作者：
L. L. Bras;M. Bendada;P. Mialhe;E. Blampain;J. Charles
通讯作者：
J. Charles
嵌入式 SOI 辐射传感器
影响因子：
1.8
作者：
M. Shaneyfelt;T. A. Hill;T. Gurrieri;J. Schwank;R. Flores;P. Dodd;S. M. Dalton;A. Robinson
通讯作者：
A. Robinson
影响因子：
64.8
作者：
Nomura, K;Ohta, H;Hosono, H
通讯作者：
Hosono, H
影响因子：
5.3
作者：
Ali, Amal Mohamed Ahmed;Ahmed, Naser M.;Sulieman, A.
通讯作者：
Sulieman, A.
脉冲辐照后 MOSFET 沟道迁移率随时间下降
DOI：
10.1109/23.45369
发表时间：
1989
期刊：
影响因子：
--
作者：
F. B. McLean;H. E. Boesch
通讯作者：
H. E. Boesch