Noise characteristics of Ni/GaN Schottky barrier IMPATT diode based on polar- and nonpolar-oriented wurtzite GaN for terahertz application
Noise characteristics of Ni/GaN Schottky barrier IMPATT diode based on polar- and nonpolar-oriented wurtzite GaN for terahertz application
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用于太赫兹应用的基于极性和非极性取向纤锌矿GaN的Ni/GaN肖特基势垒IMPATT二极管的噪声特性
DOI：
10.1016/j.spmi.2020.106405
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发表时间：
2020-03
影响因子：
3.1
通讯作者：
Hao Yue
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang Xiao-Yu;Yang Lin-An;Ma Yao;Liu Yu-Chen;Yang Wen-Lu;Ma Xiao-Hua;Hao Yue
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影响因子：
4.9
作者：
S. Sridharan;P. Yoder
通讯作者：
S. Sridharan;P. Yoder
影响因子：
3.1
作者：
D. Herbert;R. Davies
通讯作者：
D. Herbert;R. Davies
DOI：
10.1002/pssb.201046346
发表时间：
2011-03
期刊：
physica status solidi (b)
影响因子：
--
作者：
T. Wernicke;S. Ploch;V. Hoffmann;A. Knauer;M. Weyers;M. Kneissl
通讯作者：
T. Wernicke;S. Ploch;V. Hoffmann;A. Knauer;M. Weyers;M. Kneissl
DOI：
10.1155/2016/4370345
发表时间：
2016-02
期刊：
International Journal of Microwave Science and Technology
影响因子：
--
作者：
P. Panda;S. Padhi;G. Dash
通讯作者：
P. Panda;S. Padhi;G. Dash
DOI：
--
发表时间：
2009-12
期刊：
2009 4th International Conference on Computers and Devices for Communication (CODEC)
影响因子：
--
作者：
M. Mukherjee;Soumen Banerjee;J. Banerjee
通讯作者：
M. Mukherjee;Soumen Banerjee;J. Banerjee