Electrothermal Effects on Hot-Carrier Reliability in SOI MOSFETs—AC Versus Circuit-Speed Random Stress
Electrothermal Effects on Hot-Carrier Reliability in SOI MOSFETs—AC Versus Circuit-Speed Random Stress
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SOI MOSFET 中热载流子可靠性的电热效应 - 交流与电路速度随机应力
DOI：
10.1109/ted.2016.2591767
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发表时间：
2016-09
影响因子：
3.1
通讯作者：
yi zhao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
wenchao chen;Ran Cheng;yi zhao
采用自主开发的时域有限元算法，对数字集成电路用100nm绝缘体上硅（SOI） MOSFET中热载子注入（HCI）的电热效应进行了计算研究。模拟的I-V曲线为
Computational study of electrothermal effects on hot-carrier injection (HCI) in 100-nm silicon-on-insulator (SOI) MOSFET for digital integrated circuit is performed using in-house developed time-domain finite element algorithm. The simulated I-V curve is
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影响因子：
3.1
作者：
SCHARFETTER, DL;GUMMEL, HK
通讯作者：
GUMMEL, HK
DOI：
--
发表时间：
2000-07
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Y. Kwon;H. Bang
通讯作者：
Y. Kwon;H. Bang
影响因子：
3.1
作者：
Cho, Moonju;Roussel, Philippe;Groeseneken, Guido
通讯作者：
Groeseneken, Guido
影响因子：
4.9
作者：
S. Poli;S. Reggiani;M. Denison;E. Gnani;A. Gnudi;G. Baccarani;S. Pendharkar;R. Wise
通讯作者：
S. Poli;S. Reggiani;M. Denison;E. Gnani;A. Gnudi;G. Baccarani;S. Pendharkar;R. Wise
DOI：
10.1109/tdmr.2004.824359
发表时间：
2004-03-01
影响因子：
2
作者：
Chaudhry, A;Kumar, MJ
通讯作者：
Kumar, MJ