Growth and characterization of semi-polar (11-22) GaN on patterned (113) Si substrates
Growth and characterization of semi-polar (11-22) GaN on patterned (113) Si substrates
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图案化 (113) Si 衬底上半极性 (11-22) GaN 的生长和表征
DOI：
10.1088/0268-1242/30/6/065012
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发表时间：
2015
影响因子：
1.9
通讯作者：
Bai J
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Bai J
在（113）Si衬底上制备了用于（11-22）半极性GaN生长的图形衬底，彻底解决了在Si衬底上生长半极性GaN的一个重要问题“Ga回熔”。此外，与通常导致沿特定取向沿着平行凹槽的任何其它掩模图案化方法不同，我们的方法是形成周期性正方形窗口图案。结果，实现了具有晶体质量显著改善的无裂纹半极性（11-22）GaN，特别地，显著减少了基底堆垛层错（BSF）。的缺陷抑制的机制进行了研究的基础上详细的透射电子显微镜测量。已经发现，由于沿着该方向的优先生长，BSF可以在早期生长阶段被有效地阻碍< 0001>。掩< 1-100>模上方的额外横向生长导致位错密度的进一步降低。低温光致发光测量证实了BSF的显着减少。
Patterned (113) Si substrates have been fabricated for the growth of (11-22) semi-polar GaN, which completely eliminates one of the great issues in the growth of semi-polar GaN on silicon substrates,'Ga melting-back'. Furthermore, unlike any other mask patterning approaches which normally lead to parallel grooves along a particular orientation, our approach is to form periodic square window patterns. As a result, crack-free semi-polar (11-22) GaN with a significant improvement in crystal quality has been achieved, in particular, basal stacking faults (BSFs) have been significantly reduced. The mechanism for the defect suppression has been investigated based on detailed transmission electron microscopy measurements. It has been found that the BSFs can be impeded effectively at an early growth stage due to the priority growth along the< 0001> direction. The additional< 1-100> lateral growth above the masks results in a further reduction in dislocation density. The significant reduction in BSFs has been confirmed by low temperature photoluminescence measurements.
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影响因子：
4
作者：
Tao Wang;J. Bai;P. Parbrook;A. G. Cullis
通讯作者：
Tao Wang;J. Bai;P. Parbrook;A. G. Cullis
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DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
Y. Suzuki;他
通讯作者：
他
DOI：
10.1143/jjap.39.413
发表时间：
2000-02-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
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--
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通讯作者：
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--
发表时间：
2008
期刊：
phys.stas.sol.(c) (印刷中)
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--
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通讯作者：
T. Hikosaka
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3.7
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Bernardini, F;Fiorentini, V;Vanderbilt, D
通讯作者：
Vanderbilt, D