HVPE growth of semi-polar (11-22) GaN on GaN template (113) Si substrate
HVPE growth of semi-polar (11-22) GaN on GaN template (113) Si substrate
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半极性 (11-22) GaN 在 GaN 模板 (113) Si 衬底上的 HVPE 生长
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Suzuki;他
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在 GaN 模板化 (111) Si 衬底上 HVPE 生长厚 GaN 层
DOI：
10.1002/pssc.200303512
发表时间：
2003
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
Y. Nishimura;Y. Honda;M. Yamaguchi;N. Sawaki
通讯作者：
N. Sawaki
图案化硅衬底上半极性(1-101)和(11-22)InGaN/GaN MQW发光二极管的制备和性能
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
T.Hikosaka;N.Koide;Y.Honda;M.Yamaguchi;N.Sawaki;T. Hikosaka
通讯作者：
T. Hikosaka
在 7° 离轴 (001)Si 衬底上生长的 (1-101)GaN 的光学和电学特性
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Appl.Phys.Lett. 84・23
影响因子：
--
作者：
K. Hayashi;S. Mizuno;S. Tanaka;H. Toyoda;H. Tochihara;I. Suemune;T.Hikosaka
通讯作者：
T.Hikosaka
DOI：
10.1143/jjap.45.l659
发表时间：
2006-07-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS
影响因子：
--
作者：
Funato, Mitsuru;Ueda, Masaya;Mukai, Takashi
通讯作者：
Mukai, Takashi
DOI：
10.1143/jjap.39.413
发表时间：
2000-02-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
影响因子：
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作者：
Takeuchi, T;Amano, H;Akasaki, I
通讯作者：
Akasaki, I