On the c-Si/SiO2 interface recombination parameters from photo-conductance decay measurements
On the c-Si/SiO2 interface recombination parameters from photo-conductance decay measurements
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光电导衰减测量中的 c-Si/SiO2 界面复合参数
DOI：
10.1063/1.4979722
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发表时间：
2017
影响因子：
3.2
通讯作者：
Bonilla R
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Bonilla R
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