Resistance Switching Behavior in Rectangle-Nano-Pattern SrTiO3 Induced by Simple Annealing
Resistance Switching Behavior in Rectangle-Nano-Pattern SrTiO3 Induced by Simple Annealing
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简单退火引起的矩形纳米图案 SrTiO3 的电阻切换行为
DOI：
10.3390/ma12223698
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发表时间：
2019-11
期刊：
影响因子：
3.4
通讯作者：
Wang Huiqiong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Liao Xiaxia;Zhang Yufeng;Wang Jiaou;Kang Junyong;Zhang Jinbin;Wang Jizheng;Zheng Jincheng;Wang Huiqiong
通过简单的氩气气氛下封装退火方法，实现了 SrTiO3 单晶衬底半导体电导率的可调性。这种高温退火引起的性能变化可通过透射光谱、扫描电子显微镜 (SEM) 和基于同步加速器的 X 射线吸收 (XAS) 来表征。我们发现光学性能受到退火时间的强烈影响（透射率显着降低）。检测到约 427 nm 处的亚间隙吸收，这是由于氧空位的引入所致。有趣的是，在 SEM 图像中，可以直接观察到退火引起的规则矩形纳米图案，这有助于导电丝的形成。 O K 边光谱的 XAS 显示了退火过程中电子结构的变化。非常重要的是，退火后的 SrTiO3 单晶显示出电阻切换响应。这提出了一种可能的简化途径来调节 SrTiO3 的电导率并进一步开发新型电阻开关材料。
The tunability of semi-conductivity in SrTiO3 single crystal substrates has been realized by a simple encapsulated annealing method under argon atmosphere. This high temperature annealing-induced property changes are characterized by the transmission spectra, scanning electron microscopy (SEM) and synchrotron-based X-ray absorption (XAS). We find the optical property is strongly influenced by the annealing time (with significant decrease of transmittance). A sub gap absorption at ~427 nm is detected which is attributed to the introduction of oxygen vacancy. Interestingly, in the SEM images, annealing-induced regularly rectangle nano-patterns are directly observed which is contributed to the conducting filaments. The XAS of O K-edge spectra shows the changes of electronic structure by annealing. Very importantly, resistance switching response is displayed in the annealed SrTiO3 single crystal. This suggests a possible simplified route to tune the conductivity of SrTiO3 and further develop novel resistance switching materials.
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影响因子：
4.6
作者：
Eyvazov, A. B.;Inoue, I. H.;Stoliar, P.;Rozenberg, M. J.;Panagopoulos, C.
通讯作者：
Panagopoulos, C.
影响因子：
2.3
作者：
U. Celano;C. Gastaldi;B. Govoreanu;O. Richard;H. Bender;L. Goux;G. Kar;W. Vandervorst
通讯作者：
U. Celano;C. Gastaldi;B. Govoreanu;O. Richard;H. Bender;L. Goux;G. Kar;W. Vandervorst
影响因子：
41.2
作者：
Szot, K;Speier, W;Waser, R
通讯作者：
Waser, R
DOI：
10.3390/ma8105374
发表时间：
2015-10-26
期刊：
Materials (Basel, Switzerland)
影响因子：
--
作者：
Lee KJ;Wang LW;Chiang TK;Wang YH
通讯作者：
Wang YH
DOI：
10.1039/c8cp02191k
发表时间：
2018-06
期刊：
Physical chemistry chemical physics : PCCP
影响因子：
--
作者：
H. Schraknepper;T. Weirich;R. D. De Souza
通讯作者：
H. Schraknepper;T. Weirich;R. D. De Souza